2026版本科/高职西安交通大学微电子制造技术第十七掺杂复习课程单元同步测验QS01仿真卷Bloom068（含答案解析与学生作答区）.docx

本科/高职综合单元同步测验QS01

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2026版本科/高职西安交通大学微电子制造技术第十七掺杂复习课程单元同步测验QS01仿真卷Bloom068（含答案解析与学生作答区）

考试时间：70分钟

总分：80分

适用对象：本科/高职微电子制造技术单元复习

答题说明：请先检查试卷页数与题号；按题号在指定区域作答；选择题填入答题栏；计算题、分析题须写出必要过程，书写清楚、单位规范。

2026版本科/高职西安交通大学微电子制造技术第十七掺杂复习课程单元同步测验QS01仿真卷Bloom068（含答案解析与学生作答区）

姓名

班级

考号

成绩

考试时间：70分钟满分：80分

答题说明：1.本卷共三大题，22小题，满分80分；请先检查题号是否连续。2.单项选择题每题只有一个正确选项，请将答案写入答题栏。3.情境材料题和综合探究题须结合材料作答，计算题写出公式、代入、单位和结论。4.书写规范，答案写在指定作答区内。

一、单项选择题（15题，共30分，每题2分）

学生作答栏：

1

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1.在硅片掺杂热扩散过程中，若忽略外加电场，杂质原子发生净迁移的直接驱动力主要是（2分）

A.温度梯度导致的晶格振动方向

B.杂质浓度梯度导致的化学势差

C.光刻胶厚度差异导致的表面张力