CN119604056A 一种图像传感器及其制造方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604056A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510138459.6

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人陈维邦

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师张云鹏

(51)Int.Cl.

H10F39/18(2025.01)

权利要求书2页说明书11页附图9页

(54)发明名称

一种图像传感器及其制造方法

(57)摘要

CN119604056A本申请提供一种图像传感器及其制造方法，涉及半导体制造。本申请的图像传感器中的光电感应区可以通过多个掺杂沉积层构成。由此，光电感应区在制备过程无需进行离子植入，避免了离子注入对衬底的破坏。此外，在前述多个掺杂沉积层中底部掺杂沉积层的掺杂离子原子质量较大且在底部掺杂沉积层形成凹槽，而顶部的掺杂沉积层的掺杂离子的原子质量相对更小并填充前述底部掺杂沉积层形成的凹槽。由此，可以通过在底部设置原子质量较高的掺杂离子保证光电感应区的稳定性，同时原子质量较小的掺杂离子可以通过前述凹槽大量填