CN119855170A 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法 (通威微电子有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-25 发布于重庆
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CN119855170A 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法 (通威微电子有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855170A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510322408.9

(22)申请日2025.03.19

(71)申请人通威微电子有限公司

地址610299四川省成都市双流区成都芯

谷产业园区集中区内

(72)发明人李大龙

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师杜杨

(51)Int.Cl.

H10D8/60(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

权利要求书3页说明书9页附图6页

(54)发明名称

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