存储芯片超级周期.pptxVIP

存储芯片的超级周期HBM、DRAM与NANDFlash全品类齐涨半导体产业深度研究报告|2025年2025SemiconductorIndustryDeepDive

第一章超级周期：从寒冬到烈火

存储市场V型反转2023年：深度下行DRAM和NAND价格大幅下跌三星/SK海力士/美光纷纷减产强周期性产业的典型低谷存储产业经历寒冬2025年Q3：超级周期高潮DRAM产业营收季增30.9%至414亿美元NAND前五大营收季增16.5%至171亿美元企业级SSD前五大营收季增28%至65.4亿美元SK海力士：缺货可能持续到2028年AI驱动供需重塑HBM需求井喷占用大量先进DRAM产能→虹吸效应导致普通DRAM和NAND结构性紧张全品类存储产品价格攀升，涨幅一度超过黄金超级周期

第二章HBM：AI时代的黄金内存

HBM技术与市场格局HBM技术原理3D堆叠DRAM芯片+TSV硅通孔+微凸块带宽比传统DDR高出数十倍功耗显著降低英伟达H100:80GBHBM3;B200:192GBHBM3e寡头竞争格局SK海力士：绝对领导者，50%份额，深度绑定英伟达三星：积极提升HBM3e良率，争取英伟达认证美光：跳过HBM3直攻HBM3e，产品线简洁快速切入HBM4预计2026年量产，带宽再翻倍至1.6TB/s+HBM

第三章DRAM与NANDFlash：全品类