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二维半导体材料与无极芯片

摘要

当硅基芯片的物理极限日益逼近，具有单个原子层厚度的二维半导体材料被视为后摩尔时代的破局关键。2025年4月，复旦大学周鹏与包文中联合团队在Nature发表重磅论文，成功研制全球首款基于二硫化钼（MoS2）的32位RISC-V架构微处理器无极（WUJI），集成了5900个晶体管。本文深入探讨二维半导体材料的物理特性、制备工艺、无极芯片的技术突破及其对未来芯片产业的影响。

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一、硅基芯片的物理极限与二维材料的机遇

摩尔定律指引半导体产业走过了半个多世纪的辉煌历程，晶体管尺寸从微米级一路微缩至今天的纳米级。然而，当硅基晶体管沟道厚度减薄到3nm以下时，载流子的表面散射效应急剧增强，迁移率大幅下降，漏电流难以控制。这一物理极限意味着，传统硅材料已经无法支撑晶体管的继续微缩，寻找替代材料成为学术界和产业界的共同课题。

二维半导体材料是一类具有原子级厚度（通常小于1nm）的层状材料，最典型的代表是二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和黑磷（BlackPhosphorus）等过渡金属硫族化合物（TMDs）。这些材料的独特之处在于：即使在单原子层厚度下，它们仍然保持着良好的半导体特性，具有适中的带隙（MoS2单层约1.8eV）、较高的开关比（10^8）和足够的载