GAA晶体管技术简介.pptxVIP

全环绕栅极(GAA)晶体管技术详解从FinFET到GAA的晶体管演进之路半导体产业深度研究报告|2025年2025SemiconductorIndustryDeepDive

第一章从平面到FinFET再到GAA

晶体管演进历史平面型MOSFET（早期）栅极仅从上方单方向控制沟道电流工艺微缩后短沟道效应严重漏电流激增，功耗失控支撑从微米到数十纳米时代FinFET（2011年至今）英特尔22nm率先引入沟道竖立为鳍状三维结构栅极从三面包裹沟道支撑14nm到3nm十代节点GAA（2025年起）栅极四面包裹沟道水平堆叠硅纳米片360度控制电场可延伸至1nm以下为什么需要GAA？FinFET在3nm以下暴露局限性：鳍片高度无法无限增加，沟道底部栅极控制不足GAA核心理念：让栅极材料从四个方向完全包裹沟道，实现理想静电控制将FinFET的鳍替换为水平堆叠的纳米片(Nanosheet)，栅极环绕每一片晶体管演进

第二章GAA晶体管工作原理

GAA结构与物理原理核心结构组成水平堆叠硅纳米片(通常3-4片)作为沟道层高k金属栅极(HKMG)环绕每一片纳米片内部隔离层(InnerSpacer)隔离栅极与源漏沟道厚度和宽度均可精确控制物理优势等效栅极电容大幅增加，开关特性更陡峭亚阈值摆幅接近理论极限60mV/dec沟道完全耗尽，关态电流(漏电)大幅下降纳米片宽度可调：高性能(宽)vs