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半导体行业质量部质检员芯片良率分析手册

第1章芯片制程工艺与良率基础理论

1.1晶圆制造全流程概述

芯片制造是一个高度精密的连续化流程，核心步骤包括前道光刻、刻蚀、薄膜沉积、薄膜物理气相沉积（PVD）、离子注入和薄膜化学气相沉积（CVD）等，后道则涉及外延生长、扩散、氧化、光刻和薄膜沉积等工序，最终形成具有特定电气特性的晶圆。在光刻环节，通过掩膜版将设计图纸的光图形精确转移到硅片上，利用紫外线或深紫外光（DUV）进行曝光，这是决定芯片轮廓精度的关键步骤，精度需控制在纳米级别。

刻蚀工艺利用等离子体蚀除材料，分为各向异性刻蚀（如干法刻蚀）和非各向异性刻蚀（如湿法刻蚀），用于去除光刻