CN120035177A Ldmosfet结构的esd器件及制造方法、芯片 （北京智芯微电子科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120035177A

(43)申请公布日2025.05.23

(21)申请号202510341309.5

(22)申请日2025.03.21

(71)申请人北京智芯微电子科技有限公司

地址100192北京市海淀区西小口路66号

中关村东升科技园A区3号楼

(72)发明人余山陈燕宁刘芳吴波

邓永峰沈美根李君建

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限

公司11283

专利代理师谢熠

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)