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理论计算研究缺陷与掺杂调控Cu（In，Ga）Se2和卤化铅钙钛矿太阳能电池光电性质

本研究旨在通过理论计算方法深入探究Cu（In，Ga）Se2和卤化铅钙钛矿太阳能电池中缺陷与掺杂对光电性质的影响。通过对这些材料的电子结构和能带结构进行详细分析，我们揭示了缺陷态和杂质原子在材料性能调控中的关键作用。此外，我们还研究了不同掺杂水平对电池性能的影响，并提出了相应的优化策略。本研究不仅为理解Cu（In，Ga）Se2和卤化铅钙钛矿太阳能电池的工作原理提供了新的视角，也为未来的材料设计和器件优化提供了重要的理论依据。

关键词：Cu（In，Ga）Se2；卤化铅钙钛矿；太阳能电池；缺陷；掺杂；光电性质

1.引言

1.1研究背景

随着全球能源需求的不断增长，太阳能作为一种清洁、可再生的能源受到了广泛关注。其中，有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因其高光电转换效率和低成本制造工艺而成为研究的热点。然而，有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池存在稳定性差、寿命短等缺点，限制了其商业化应用。相比之下，Cu（In，Ga）Se2和卤化铅钙钛矿太阳能电池由于其优异的稳定性和较高的能量转换效率而备受关注。然而，这两种材料的光电性质受多种因素影响，如缺陷态、掺杂原子等。因此，深入研究这些因素对材料性能的影响对于提高太阳能电池的性能具有重要意义。

1.2研究意义

本研究通过理论计算方法，系统地分析了Cu（In，Ga）Se2