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4H-SiCBJT功率器件：结构剖析与特性洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。传统的硅基功率器件由于材料自身特性的限制，在面对高压、高温、大电流等极端工作条件时，逐渐暴露出诸多不足，如导通电阻大、开关速度慢、能量损耗高等问题，难以满足新兴领域的应用需求。

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其一系列优异的物理特性，在功率器件领域展现出巨大的潜力。SiC具有宽禁带宽度，约为硅的3倍，这使得其能够在高温环境下保持较低的本征载流子浓度，有效减少漏电流，提高器件的热稳定性和可靠性；其临界击穿电场强度高达硅