【2026年整理】8导体和电介质.pptVIP

第8章静电场中的导体和电介质;§8.1静电场中的导体;8.1.1导体的静电平衡条件;;2.处于静电平衡的导体，导体表面附近一点的电场强度与该点处导体表面电荷的面密度成正比。;尖端放电;静电屏蔽;例;;例;;;§8.2静电场中的电介质;;;加外电场后;;§8.3电位移矢量D有电介质时的高斯定理;;——电介质中的高斯定理;例;;;§8.4电容器的电容;8.4.1孤立导体的电容;8.4.2电容器的电容;电容器电容的计算;设有两根半径均为a的平行长直导线，它们轴线之间的距离为d，且da，;单位长度导线间的电容为;;2.球形电容器;;;例;;高压电容器(20kV,5~21?F)

(提高功率因数);例;电容为;平板电容器中充介质的另一种情况;两板间的电势差;§8.5电场能量;;;已知均匀带电的球体，半径为R，带电量为Q;;一空气平行板电容器，电容为C，与电压为U的电源相连接，如图所示。若保持电容器与电源连接，把两极板间距增大至n倍。;;本章小结;2.静电场中的电介质;电容器电容的计算;电场总能量;世界上首次得到具有压电效应的半导体纳米环结构