1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

30V 12A N沟道MOSFET APM4420K：超高密度单元设计，SOP-8封装.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约10.39万字
  • 约 20页
  • 2026-05-27 发布于北京
  • 举报

30V 12A N沟道MOSFET APM4420K：超高密度单元设计，SOP-8封装.pdf

    APM4420K

    N沟道增强型MOSFET

    特性引脚描述

    •30V/12A，RDS(ON)=6m(典型)D

    @VGS=10VRDS(ON)=10m(典型)@DD

    D

    VGS4.5V

    •密度单元设计S

    S

    •可靠且坚固S

    G

    •SOP‑8封装

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >