固态物理作业15-2014：杂质轨道与半导体性质分析.pdfVIP

作业15-2014

1杂质轨道。锑化铟能隙为0.23eV，介电常数为18，导带电子的有效质量是自由电子质量

的0.015倍，晶格常数为6.479埃。试求其(a)施主电离能；(b)施主电子基态轨道的半径；

(c)若施主均匀分布，试求当掺杂施主浓度高于多少时，相邻杂质原子轨道发生显著的交叠

效应。此时如能形成杂质带，有可能产生一种新的导电机制，即电子由一个杂质位置“跳到”

（hopping）另一个杂质位置。

2施主电离。在某种中，施主电离能、电子有效质量、施主浓度分别为

*13−3

E1meV,m0.01m,N10cm

dd

(a)请估算4K时的传导电子浓度；(b)霍尔系数，假定没有受主存在，且带隙远大于kT。

3存在两种载流子时的Hall效应。假定电子和空穴的浓度分别为n、p，弛豫时间分别为