InGaN薄膜MOCVD生长调控与肖特基势垒特性研究.docx

InGaN薄膜MOCVD生长调控与肖特基势垒特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，InGaN薄膜凭借其独特的性质，占据着极为重要的地位。其禁带宽度可在0.7-3.4eV之间连续调节，这种特性使其成为制造各类光电器件的理想材料。从日常照明使用的发光二极管（LED），到高清显示的微型发光二极管（Micro-LED），再到光通信中的光探测器等，InGaN薄膜的身影无处不在。

以LED为例，传统的照明光源如白炽灯和荧光灯，存在着能耗高、寿命短、发光效率低等问题。而InGaN基LED具有高效节能、寿命长、响应速度快等优点，正逐步取代传统光源，成为照明领