L-MBE法制备β-Ga₂O₃薄膜：从基础到应用的深度探索.docx

L-MBE法制备β-Ga?O?薄膜：从基础到应用的深度探索

一、引言

1.1β-Ga?O?薄膜的重要性

在半导体领域，β-Ga?O?薄膜凭借其卓越的性能，正逐渐崭露头角，成为研究的焦点。β-Ga?O?是氧化镓（Ga?O?）的一种稳定晶型，具有超宽禁带宽度，达到4.8-4.9eV，这使其在众多半导体材料中脱颖而出。与传统的硅基半导体以及第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）相比，β-Ga?O?的禁带宽度更宽，这赋予了它一系列优异的特性。

在光电器件方面，β-Ga?O?薄膜展现出巨大的应用潜力。由于其本征日盲光吸收特性（吸收波长约为254nm），使其成为日盲光电探测器的理想材料。