【2026年整理】第三章场效应管--200810.pptVIP

第3章场效应晶体管和基本放大电路;本章的重点与难点;场效应管输入回路内阻很高(107~1012?)，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。;按结构不同分为：结型(JFET)

绝缘栅型(IGFET);3.1.1结型场效应管;结型场效应管的符号;(1)g、s间和d、s间均短路的情况;(2)g、s间加负电压和d、s间短路;UDS的作用产生漏极电流ID，使沟道中各点和栅极间的电压不再相等，近漏极电压最大，近源极电压最小。导电沟道宽度不再相等。;UGD=UGS-UDS=-UDS

当UDS增加到|UGS（off）|。漏极附近的耗尽区相接，称为预夹断。;g、s间的负电压使导电沟道变窄（等宽）；d、s间的正电压使沟道不等宽。?UGS?增加，导电沟道变窄，沟道电阻增大，相同UDS产生的ID减小。;称场效应管为电压控制元件。;2.工作原理－－电压控制作用;3.结型场效应管的特性;UDS较小、曲线靠近纵轴的部分。

也就是预夹断轨迹左边区域。;UDS较大、ID基本不随UDS的增加而增加的部分。

预夹断轨迹右边区域。;导电沟道全部夹断。;4;恒流区ID近似表达式为：;1.4.2绝缘栅型场效应管（MOS管);1、N沟道增强型MOS管;SiO2;由于绝缘层SiO2的存