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基于FPGA的表面等离子体光刻装备间隙测量系统的深度剖析与创新实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，光刻技术始终是推动集成电路（IC）发展的核心技术之一。随着摩尔定律的持续演进，芯片集成度不断提高，对光刻技术的分辨率和精度提出了愈发严苛的要求。传统的光学投影光刻技术由于受到光的衍射极限限制，在实现更小线宽的光刻时面临巨大挑战。表面等离子体光刻技术作为一种极具潜力的下一代光刻技术，能够突破衍射极限，在不显著缩短入射光源波长的情况下，使光刻分辨率达到10nm以下，为高效、低成本且可大面积化的纳米光刻加工提供了可靠途径。

在表面等离子体光刻装备中，掩模板与基片间的间隙是影响光