CN119620534A 用于掩模版增强技术的方法和制造半导体器件的方法 （D2S公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119620534A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411921614.3

(22)申请日2018.12.12

(30)优先权数据

15/853,3112017.12.22US

(62)分案原申请数据

201880083241.32018.12.12

(71)申请人D2S公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人P·J·恩加尔

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师胡琪

(51)Int.Cl.

G03F1/70(2012.01)

G03F1/32(2012.01)

G03F7/20(2006.01)

权利要求书3页说明书22页附图15页

(54)发明名称

用于掩模版增强技术的方法和制造半导体

器件的方法

(57)摘要

CN119620534A用于掩模版增强技术(RET)的方法包括：输入目标晶片图案，所述目标晶片图案跨越整个设计区域。迭代用于所述整个设计区域的所提议掩模，直到所提议掩模满足产生所述目标晶片图案的标准为止。用于光刻成像系统的RET的方法包括：将目标晶片图案或预测的晶片图案表示为作为函数样本数组FSA捕获的平滑函数。提供连续色调掩模CTM，其中，所述CTM被用来产生所述预测的晶片图案，所述预测的