硅多晶副产硅粉中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法标准化发展研究报告.docx

硅多晶副产硅粉中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法标准化发展报告

StandardizationDevelopmentReportonDeterminationofMetalImpuritiesinSiliconPowderby-productofPolysiliconProduction——InductivelyCoupledPlasmaOpticalEmissionSpectrometry

摘要

随着全球能源结构转型和“双碳”战略的深入实施，光伏产业作为清洁能源的重要组成部分，呈现出爆发式增长态势。硅多晶作为光伏产业链的核心基础材料，其生产过程中产生的副产硅粉的资源化利用问题日益受到行业关注。然而，副产硅粉中金属杂质含量的准确测定是评估其质量、指导后续提纯工艺及拓展应用领域的关键技术瓶颈。本报告围绕行业标准《硅多晶副产硅粉中金属杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法》（计划编号：2026-0217T-YS）的制定工作，系统阐述了该标准的立项背景、技术路线、核心内容及行业意义。该标准由全国有色金属标准化技术委员会归口管理，内蒙古通威高纯晶硅有限公司牵头起草，联合四川永祥能源科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司等多家行业骨干企业和科研院所共同编制。标准采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES），针对硅多晶副产硅粉