CN119620442A 一种硅光调制器及其补偿掺杂方法 （希烽光电科技(南京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119620442A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411882735.1

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人希烽光电科技（南京）有限公司

地址211800江苏省南京市江北新区星火

路17号创智大厦A座7层

申请人NANO科技（北京）有限公司

(72)发明人史弘康李磊张晓波陈泽方舟

(74)专利代理机构南京擎天知识产权代理事务所(普通合伙)32465

专利代理师涂春春

(51)Int.Cl.

G02F1/025(2006.01)

G02F1/015(2006.01)

G02B6/134(2006.01)

G02B6/136(2006.01)

G02B6/12(2006.01)

G02B6/122(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图8页

(54)发明名称

一种硅光调制器及其补偿掺杂方法

(57)摘要

CN119620442A本发明公开了一种硅光调制器，包括依次堆叠的硅衬底、绝缘氧化物层、顶层硅波导调制区和顶层覆盖氧化物层，所述顶层硅波导调制区沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区。本发明还公开一种硅光调制器的补偿掺杂方法。优点，通过斜向离子注