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2020年长鑫存储校招笔试90分必刷试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最核心元件是

A.电容B.晶体管C.电阻D.电感

2.下列哪一项不是提升DRAM刷新间隔的有效方法

A.降低温度B.提高单元电容值C.降低单元漏电流D.提高字线电压

3.关于1T1CDRAM单元，下列说法正确的是

A.读操作非破坏性B.写“1”需对位线充电至VDDC.读“0”时位线电压上升D.电容接在字线上

4.在DDR4中，BL（BurstLength）固定为

A.4B.8C.16D.32

5.行锤（RowHammer）攻击主要利用的物理机制是

A.热电子注入B.寄生双极放大C.隧道效应D.电容耦合

6.下列哪条命令用于关闭当前激活行并预充电

A.ACTB.PREC.RDD.WR

7.在DRAM时序参数中，tRCD表示

A.行有效到列读写延迟B.行预充电周期C.刷新间隔D.写恢复时间

8.ECC方案中，SEC-DED能纠正的错误位数为

A.1B.2C.3D.4

9.3DDRAM采用TSV的主要目的是

A