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2025年光伏产品研发与制造手册

第1章2025年光伏产品研发与制造手册

1.1高效晶体硅电池技术突破路线

第一节高效晶体硅电池技术突破路线

1.1.1单晶多晶硅片制备工艺优化与缺陷控制

在2025年，单晶多晶硅片制备将全面转向“流化床-区熔”双模态工艺，通过引入新型快速凝固技术，将单晶片厚度从传统的180微米进一步压缩至160微米，以显著降低单晶硅片重量并提升其透光率。针对晶界缺陷这一效率瓶颈，研发重点将聚焦于“原子级扩散”技术，利用氩离子注入技术精确控制硅原子在晶界的分布密度，使晶界处的载流子复合率降低40%以上。

为应对高温退火过程中的晶格