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2025年电子信息工程手册

第1章基础理论与前沿技术

1.1半导体物理与器件特性

我们首先从微观层面理解半导体，即硅原子晶格中电子的价带与导带之间的禁带宽度约为1.12eV。当温度升高或光照激发时，价带电子获得足够能量跃迁至导带，形成自由电子和空穴，这一过程称为本征激发。在实际器件中，为了控制电流，我们引入PN结。当P型半导体（多子为空穴）与N型半导体（多子为电子）接触时，载流子扩散形成空间电荷区，建立起由N区指向P区的内建电场，阻止进一步的扩散。

在正向偏置下，外部电压抵消内建电场，耗尽层变窄，电子和空穴越过势垒形成导电沟道，电流指数级增长，其特性由肖克