CN119859846A 一种半导体功率器件用超薄衬底沉积厚层硅外延片的方法 （中国电子科技集团公司第四十六研究所）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119859846A

(43)申请公布日2025.04.22

(21)申请号202510336401.2

(22)申请日2025.03.21

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研

究所

地址300220天津市河西区洞庭路26号

(72)发明人傅颖洁刘云龚一夫李明达

李杨赵扬李世才边娜翟玥

(74)专利代理机构天津中环专利商标代理有限

公司12105

专利代理师王凤英

(51)Int.Cl.

C30B25/16(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

H01L21/02(2006.01)