PIN二极管结构及工作原理.docxVIP

一、PIN二极管的结构

PIN二极管的基本结构有两种，即平面的结构和台面的结构，如图2所示。对于Si-pin133结二极管，其中I层的载流子浓度很低(约为10cm数量级)电阻率很高、(约为k-cm数量级),厚度W一般较厚(在10～200m之间);I层两边的p型和n型半导体的掺杂浓度通常很高。

平面结构和台面结构的I层都可以采用外延技术来制作，高掺杂的p+层可以采用热扩散或者离子注入技术来获得。平面结构二极管可以方便地采用常规的平面工艺来制作。而台面结构二极管还需要进行台面制作(通过腐蚀或者挖槽来实现)。台面结构的优点是：

①去掉了平面结的弯曲部分，改善了表面击穿电压；

②减小了边缘电容和电感，有利于提高工作频率。

(a)平面结构(b)台面结构

图1pin结二极管的两种基木面包设社区

图2PIN二极管的两种结构

二、PIN二极管在不同偏置下的工作状态

1、正偏下

PIN二极管加正向电压时，P区和N区的多子会注入到I区，并在I区复合。当注入载流子和复合载流子相等时，电流I达到平衡状态。而本征层由于积累了大量的载流子而电阻变低，所以当PIN二极管正向偏置时，

呈低阻特性。正向偏压越大，注入I层的电流就越大，