CN119626981A 一种沟槽隔离结构及其制备方法 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119626981A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311156205.4

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

地址201807上海市嘉定区娄陆公路497号

(72)发明人黄春阳

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H10D89/60(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种沟槽隔离结构及其制备方法

(57)摘要

CN119626981A本发明提供一种沟槽隔离结构及其制备方法，其中沟槽隔离结构的制备方法包括：提供一基底；在基底的表面自下而上依次沉积隔离氧化层、硬掩膜层和光刻层；图形化光刻层，以图形化的光刻层为掩膜对硬掩膜层和隔离氧化层刻蚀，在基底上形成多个氧化物沟槽，且各氧化物沟槽暴露出基底；在各氧化物沟槽内形成硅外延层，隔离硅外延层的隔离氧化层为沟槽隔离结构。本发明先在基底上形成隔离氧化层，使得每一隔离氧化层暴露出基底，以保证形成的每一氧化物沟槽的深度相同，再在氧化物沟槽内填充硅外延

CN119626981A

CN119626