CN120004629A 一种高纯度碳化硅陶瓷的制备方法 (成都伏尔肯半导体材料有限公司).pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.11万字
  • 约 8页
  • 2026-05-30 发布于重庆
  • 举报

CN120004629A 一种高纯度碳化硅陶瓷的制备方法 (成都伏尔肯半导体材料有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120004629A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202411944361.1(51)Int.Cl.

C04B35/565(2006.01)

(22)申请日2024.12.27

C04B35/622(2006.01)

(71)申请人成都伏尔肯半导体材料有限公司B33Y70/10(2020.01)

地址610000四川省成都市高新区高朋大

B33Y10/00(2015.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档