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单晶六硼化镧场发射阵列阴极：从理论到应用的深度剖析

一、绪论

1.1引言

随着现代科技的飞速发展，电子器件的性能和小型化需求不断推动着材料科学与工程领域的创新。在众多关键材料中，单晶六硼化镧以其独特的物理性质和卓越的场发射性能，成为场发射阵列阴极研究的焦点。场发射阵列阴极作为电子发射的核心部件，在平板显示器、行波管、传感器等诸多领域展现出巨大的应用潜力，其性能的优劣直接决定了相关电子器件的工作效率和稳定性。然而，目前常见的场发射阵列阴极材料在实际应用中仍面临着诸多挑战，如发射电流密度不足、开启电压过高、稳定性欠佳等问题，这些问题严重制约了电子器件的进一步发展和性能提升。因此，深入研究单晶六硼