CN119627025A 一种硅基电容器中的新型结构及制造方法 （苏州聚谦半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119627025A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311146896.X

(22)申请日2023.09.06

(71)申请人苏州聚谦半导体有限公司

地址215000江苏省苏州市苏州工业园区

星湖街328号创意产业园21-A401-001

单元

(72)发明人黄子伦

(74)专利代理机构上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286

专利代理师黄海霞

(51)Int.Cl.

H01L23/64(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种硅基电容器中的新型结构及制造方法

(57)摘要

CN119627025A本发明公开了一种硅基电容器中的新型结构及制造方法，新型结构包括：自衬底的表面进入所述衬底中的深沟槽；所述深沟槽的侧壁具有沿深度方向上的锯齿状表面形貌。本发明能增加深沟槽的表面积，因此提高了单位面积下的电容

CN119627025A

CN119627025A权利要求书1/1页

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1.一种硅基电容器中的新型结构，其特征在于，包括：

自衬底的表面进入所述衬底中的深沟槽；

所述深沟槽的侧壁具有沿深度方向上