CN119627088A 一种可调控硅分散和硅碳间隙的负极材料及其制备方法 （赛迈科先进材料股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119627088A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510157301.3

(22)申请日2025.02.13

(71)申请人赛迈科先进材料股份有限公司

地址313100浙江省湖州市长兴县雉城镇

中钢大道9号

(72)发明人胡梦菲吴厚政屈睿航周明李贺

(74)专利代理机构杭州西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙)33325

专利代理师开慧红

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/587(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

一种可调控硅分散和硅碳间隙的负极材料

及其制备方法

(57)摘要

CN119627088A本发明提供了一种可调控硅分散和硅碳间隙的负极材料及其制备方法，包括以下步骤：步骤一、将纳米硅分散于造孔助剂中，并向造孔助剂中加入一定量的乳化剂，混合均匀；步骤二、配制树脂低聚溶液，将酚或胺类和醛类物质在常温下进行混合，配制成澄清透明的树脂溶液；步骤三、将树脂溶液加入到造孔助剂溶液中快速搅拌，形成非透明的乳液；搅拌后待树脂聚合反应完全；步骤四、将反应完的溶液置