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GaN/Si纳米异质结构阵列：从性能剖析到器件创新

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电子领域已成为推动现代社会进步的关键力量，其在通信、能源、医疗、信息技术等众多领域发挥着不可或缺的作用。在光电子领域不断追求高性能器件的征程中，新型材料和结构的研发始终是核心驱动力。GaN/Si纳米异质结构阵列，作为一种融合了GaN和Si两种材料优势的创新型结构，在光电子领域展现出了巨大的潜力，成为了近年来的研究热点。

GaN作为第三代半导体材料的杰出代表，拥有诸多卓越的物理性质。其宽禁带特性，使其能够在高功率、高温以及高频等极端条件下稳定工作，这一特性使得GaN在射频器