CN119630083A 背照式图像传感器及其制造方法 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630083A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411748226.X

(22)申请日2021.12.17

(62)分案原申请数据

202111555383.52021.12.17

(71)申请人武汉新芯集成电路股份有限公司

地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

新四路18号

(72)发明人尹鹏胡胜

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师曹廷廷

(51)Int.Cl.

H10F39/12(2025.01)

H10F39/18(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

背照式图像传感器及其制造方法

(57)摘要

CN119630083A本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，该背照式图像传感器及背照式图像传感器的制造方法中，在半导体衬底的外围区域设置或形成了隔离墙，利用隔离墙将光敏区域与外围区域的电路元件隔开，隔离墙的隔离方式为物理隔离，可以将电路元件产生的漏电流有效隔离在光敏区域外，有助于解决背照式图像传感器的光

CN119630083A

CN119630083A权利要求书