CN119629999B 一种mtp器件及其制备方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119629999B

(45)授权公告日2025.05.16

(21)申请号202510148801.0

(22)申请日2025.02.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119629999A

(43)申请公布日2025.03.14

(73)专利权人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人康绍磊丁帅丁梦茜

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师周耀君

(51)Int.Cl.

H10B43/30(2023.01)

H10B43/10(2023.01)

(56)对比文件

CN1719595A,2006.01.11审查员王娜

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

一种MTP器件及其制备方法

(57)摘要

CN119629999B本发明提供一种MTP器件及其制备方法，本发明通过传统MTP器件中由衬底、栅氧层和浮栅构成的MOS电容替换为浮栅、绝缘层和导电插塞构成位于衬底上电容，以通过浮栅和导电插塞之间的电容耦合来控制浮栅的电位，从而完成在浮栅