集成电路电子设计自动化工具 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）老化模型标准化发展研究报告.docx

集成电路电子设计自动化工具金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）老化模型标准化发展报告

MOSFET老化效应主要包括热载流子注入（HCI）、负偏置温度不稳定性（NBTI）和正偏置温度不稳定性（PBTI）三种主要机制。HCI效应发生在沟道载流子获得足够能量后注入栅氧化层中，导致界面态增加和阈值电压漂移；NBTI主要影响PMOS器件，在负栅压和高温条件下引发Si/SiO?界面处正电荷积累；PBTI则主要影响NMOS器件中的高k介质层。这些老化效应在先进工艺节点下呈现加速趋势，对模拟电路、数字电路和存储电路均产生显著影响。

摘要

根据行业统计数据，在28纳米工艺节点下，经过10年工作寿命后，MOSFET阈值电压漂移可达15%至25%，驱动电流退化可达10%至20%。在7纳米及以下节点，这些退化指标将进一步恶化。因此，在设计阶段准确预测老化效应的影响，已成为保障芯片长期可靠性的关键手段。2.2行业需求分析目前，国际上主要EDA厂商如Synopsys、Cadence和MentorGraphics均在其工具中集成了晶体管老化仿真功能，但所采用的模型存在差异：Synopsys的ReliabilityAnalysis工具基于SPICE级老化模型，Cadence的VirtuosoReliability选项采用基于应力时间累积的退化模型，而国产EDA工具在此领域尚处于起步阶段