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碳化硅MOSFET第一类短路特性：机理、影响因素与应用分析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益严苛。传统的硅基功率半导体器件，在面对高压、高温、高频等复杂应用场景时，逐渐暴露出其局限性，难以满足新能源装备高效、高功率密度等新的发展需求。在此背景下，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料制成的功率器件应运而生，其中碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）凭借其卓越的性能优势，成为了电力电子领域的研究热点和发展方向。

碳化硅材料具备高击穿电场、高饱和电子漂移速度以及高热导率等特性，这些优异的物理性质赋予了SiC