Infineon 技术手册 IGB03N120S7说明书.pdf

英飞凌工业用

最终数据手册

英飞凌工业用耐短路1200VTRENCHSTOPTMIGBT7技术:碳化硅MOSFET

特性Tab

•VCE=1200V

•IC=3A

•低饱和电压VCEsat=2VatTvj=150°C

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