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2025年电力电子产品设计与制造手册

第1章

基础理论与前沿技术

第一节半导体器件物理与特性分析

本小节将深入剖析硅基半导体PN结的耗尽层宽度与反向偏置电压的关系，通过物理公式推导展示：在室温下，当反向偏置电压$V_R$达到10V时，耗尽层宽度$W$约为$2.5\mum$，并指出温度每升高10℃，结电容$C_j$约增加20%，这是评估高压MOSFET耐压极限的关键参数。详细讲解肖特基势垒二极管的肖特基势垒高度对漏电流的影响机制，说明在150℃的高温环境下，若未采用氮化镓（GaN）材料，其反向漏电流可能呈指数级上升，导致器件失效，因此必须选用带隙大于