碳化硅器件研发工程师考试试卷及答案.docVIP

碳化硅器件研发工程师考试试卷及答案

碳化硅器件研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.SiC最稳定的晶型是______。

2.4H-SiC常温禁带宽度约为______eV。

3.SiC热导率约为Si的______倍。

4.SiC器件主流外延工艺是______（化学气相沉积类）。

5.SiCMOSFET栅氧化层主要为______。

6.N型SiC常用掺杂元素是______（氮）。

7.SiCSBD反向恢复时间比SiSBD______。

8.SiC衬底主导导电类型是______。

9.SiC击穿场强约为Si的______倍。

10.SiC器件钝化层常用______（SiO?或Si?N?）。

答案

1.4H-SiC2.3.263.34.MOCVD5.SiO?6.N7.短8.N型9.1010.SiO?（或Si?N?）

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.SiC器件应用最广泛的晶型是？

A.3C-SiCB.4H-SiCC.6H-SiCD.2H-SiC

2.SiCMOSFET栅氧界面态会导致？

A.导通电阻降低B.阈值电压漂移C.反向漏电流减小D.开关速度加快

3.P型SiC常用掺杂剂是？

A.NB.PC.AlD.As

4.SiC外延碳源常用？

A.CH?B.SiH?C.NH?D.B?H?

5.SiC器件核心优势不包括？

A.高击穿场强B.高热