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碳化硅单晶生长工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.碳化硅（SiC）应用最广泛的晶型是______型（如4H、6H）。

2.工业生长SiC单晶最常用的方法是______法（物理气相传输）。

3.SiC单晶生长籽晶常用______晶向（如（0001））。

4.PVT法原料为______SiC粉末。

5.生长氛围常用惰性气体______。

6.控制生长的核心区域是______（籽晶与原料间的温度梯度区）。

7.SiC施主掺杂常用元素______（如N）。

8.生长设备核心加热部件是______（如石墨）。

9.SiC单晶常见宏观缺陷是______（如微管）。

10.SiC抛光常用______金刚石磨料。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下非SiC单晶生长常用方法的是？

A.PVT法B.LPE法C.CZ法D.MBE法

2.PVT法中籽晶应放温度梯度的______端？

A.高温B.低温C.恒温D.任意

3.SiC生长真空度一般控制在______量级？

A.10?3PaB.10?1PaC.102PaD.10?Pa

4.影响生长速率最主要的因素是？

A.原料纯度B.温度梯度C.生长时间D.气体流量

5.属于SiC点缺陷的是？

A.微管B.位错C.空位D.层错

6.SiC退火主要目的是？

A.提高速率B.消除内应力C.增加杂质D.降低硬度

7.P型SiC掺杂元