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GaN外延层与纳米线：制备工艺、表征技术及性能关联的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展进程中，每一次材料的革新都为电子信息技术带来了质的飞跃。从以硅（Si）为代表的第一代半导体材料，到以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料，再到如今备受瞩目的第三代半导体材料，其发展历程见证了科技的不断进步。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其一系列卓越的性能，在现代半导体领域中占据了极为重要的地位。

随着科技的飞速发展，对半导体器件性能的要求日益提高，如在5G通信、新能源汽车、数据中心等领域，需要器件具备更高的工作频率、更大的功率容量以及更好的耐高温性能