CN119631184A 构造高密度封装基板的方法 （超威半导体公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631184A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202380057155.6

(22)申请日2023.08.02

(30)优先权数据

17/816,9442022.08.02US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.26

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0714942023.08.02

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/030945EN2024.02.08

(71)申请人超威半导体公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人斯里·兰加·萨伊·博亚帕蒂迪帕克·瓦桑特·库尔卡尼

拉贾·斯瓦米纳坦

阿尔萨兰·阿拉姆

布雷特·P·威尔克森

(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263专利代理师樊英如张华

(51)Int.Cl.

H01L23/538(2006.01)

H01L23/498(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

构造高密度封装基板的方法

(57)摘要

CN119631184A所公开的方法可以包括(i)将半导体设备的部件的第一表面定位在第一电镀通孔上，(ii)用介电材料层覆盖