何庭波韬定律演讲PPT及解说词(1).pptxVIP

触点间距（Pitch）的不断缩小这一部分通过显微剖面图，向我们展示了芯片内部及封装互连的几种关键物理结构，自上而下包括：FEOLBEOL：FEOL（前道工序）是底层的晶体管等器件；BEOL（后道工序）是芯片内部的金属布线层。ubump（微凸块）：用于高密度、短距离的芯片间连接。TSV（硅通孔）：贯穿整个硅片的垂直通道，是实现3D芯片堆叠（让芯片像盖楼一样垂直相连）的关键技术。C4凸块：相对较大的传统倒装焊料球，通常用于将芯片连接到封装基板上。第一阶段：传统封装时代（Pitch：1000-100um）技术(PCBMCM)：多芯片模块（MCM）。芯片（Die）通过C4凸块连接到基板（Substrate），基板再通过BGA锡球连接到主板（PCB）上。特点：连接间距较大，属于传统的2D封装，通信带宽和密度受限。第二阶段：2.5D高级封装时代（Pitch：50-25um）技术(Fan-out扇出型封装)：引入了中介层（Interposer）或硅桥接器（Bridge）。多个裸片通过更密集的bump连接到中介层上，实现高密度的数据交换。对应应用(下排图示)：Chiplet（小芯片）：将原本巨大的一块单片逻辑芯片拆分成多个小模块，通过这种技术拼接在一起，提高良率并降低成本。HBM3/HBM3E（高带宽内存）：将多层DRAM存储芯片（Die0到Die