1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

IEC 62374-1 - 半导体器件金属层间经时介电击穿试验+源标准.pdf

IEC 62374-1 - 半导体器件金属层间经时介电击穿试验+源标准.pdf

    IEC62374-1：半导体器件金属层间经时介电击穿

    （TDDB）试验

    发布日期：2026年5月16日|分类：半导体可靠性|标准：IEC62374-1:2010

    IEC62374-1规定了半导体器件中金属层间介电层的经时介电击穿标准化测试方法。随

    着集成电路技术向更小尺寸发展，金属层间介电层——金属互连层之间的绝缘薄膜——

    的可靠性变得愈发关键。本标准提供了使用恒定电压应力对这些介电层进行加速寿命测

    试的方法，使制造商能够预测多层金属化方案的长期可靠性。

    关键见解：金属层间介电层的TDDB已成为采用铜/低k互连方案的先进

    CMO

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >