2025年电子工程设计与应用手册.docx

2025年电子工程设计与应用手册

第1章电子工程设计与基础理论

1.1半导体物理与器件工作原理

理解PN结的能带结构是分析二极管特性的基石，当光照照射到PN结时，光子能量若大于半导体禁带宽度（如硅为1.12eV），电子会被激发从价带跃迁至导带，产生电子-空穴对，导致光电流显著增加，这是光伏效应的基本原理。在制作场效应晶体管（FET）时，通过栅极电压控制漏源极之间的电流，其核心机制是利用电场效应改变沟道导电能力，例如在MOSFET中，当栅源电压$V_{GS}$超过阈值电压$V_T$时，耗尽层收缩形成导电沟道，从而允许电流从漏极流向源极。

晶体管的工作区域划