CN119631021A 使用硅光致抗蚀剂的光刻方法 （潍坊星泰克微电子材料有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631021A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202380013176.8

(22)申请日2023.06.30

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.02.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/1053742023.06.30

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2025/000537EN2025.01.02

(71)申请人潍坊星泰克微电子材料有限公司

地址261205山东省潍坊市高新技术开发

区清池街道府东社区高二路417号2号楼1-2层

(72)发明人孙逊运

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师刘曾

(51)Int.Cl.

G03F7/075(2006.01)

H01L21/027(2006.01)

G03F7/004(2006.01)

权利要求书2页说明书15页附图8页

(54)发明名称

使用硅光致抗蚀剂的光刻方法

(57)摘要

CN119631021A一种形成图案的方法，所述方法包括：提供在其中待形成图案的衬底；在所述衬底上形成硅光致抗蚀剂(20)层；使所述硅光致抗蚀剂的一部分暴露于活化辐射波长；固化所述硅光致抗蚀剂(20)；使固化的硅光致抗蚀剂