CN119640835A 一种基坑气膜基础及其施工方法 （中维空间膜建筑技术(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119640835A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510010262.4

(22)申请日2025.01.03

(71)申请人中维空间膜建筑技术（北京）有限公司

地址100000北京市大兴区北京经济技术

开发区经海六路3号院1号楼A座7层809室

(72)发明人李久双宋泽霞

(74)专利代理机构成都顶峰明志知识产权代理

有限公司51361

专利代理师简易

(51)Int.Cl.

E02D27/32(2006.01)

E02D17/02(2006.01)

E02D17/04(2006.01)

E02D5/56(2006.01)

E02D31/00(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

一种基坑气膜基础及其施工方法

(57)摘要

CN119640835A本发明公开了一种基坑气膜基础及其施工方法，该基坑气膜基础包括首尾依次相接的H型钢，H型钢由上翼缘板、下翼缘板和腹板构成，腹板的一端连接有上翼缘板，腹板的另一端连接有与地面接触的下翼缘板，下翼缘板上设有开孔与固定机构；基坑气膜基础还包括穿过开孔并伸入地下的螺旋地桩；固定机构用于对螺旋地桩进行限位；上翼缘板上设有连接气膜膜材的连接机构；螺旋地桩为空