CN119855160A 一种具有边界缺口的纳米线存储器及其制造方法 (广东工业大学).pdfVIP

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  • 2026-06-02 发布于重庆
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CN119855160A 一种具有边界缺口的纳米线存储器及其制造方法 (广东工业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855160A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202411956097.3B82Y40/00(2011.01)

(22)申请日2024.12.28

(71)申请人广东工业大学

地址510062广东省广州市越秀区东风东

路729号

(72)发明人吴竞董国栋王君林徐永兵

张家铭李冠祺陈振东

(74)专利代理机构广东广信君达律师事务所

44329

专利代理师杨晓松

(51)Int.Cl.

H10B61/00(2023.01)

H10N50/10(2023.01)

H

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