CN119637871A 一种利于硅沉积的复合多孔碳的制备方法及硅炭复合负极 （浙江格源新材料科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119637871A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510162443.9

(22)申请日2025.02.14

(71)申请人浙江格源新材料科技有限公司

地址324000浙江省衢州市柯城区智慧大

道333号智慧谷科技园C座207

(72)发明人徐泉曹伟任天论代志津

(74)专利代理机构北京中知星原知识产权代理事务所(普通合伙)11868

专利代理师艾变开王维佳

(51)Int.Cl.

C01B32/336(2017.01)

H01M4/133(2010.01)

H01M4/134(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

C01B32/318(2017.01)

C01B33/035(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种利于硅沉积的复合多孔碳的制备方法

及硅炭复合负极

(57)摘要

CN119637871A本发明涉及一种利于硅沉积的复合多孔碳的制备方法及硅炭复合负极，所述方法包括以下步骤：（P1）多孔碳细粉表面氧化处理得到氧化多孔碳细粉；（P2）将氧化多孔碳细粉、醚类聚羧酸硅醇加入溶剂中，得到醚类聚羧酸硅醇修饰的多孔碳细粉；所述醚类聚羧酸硅醇是