CN119644408A Vti介质正演模拟方法、装置、电子设备及存储介质 （中国石油化工股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119644408A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311200096.1

(22)申请日2023.09.17

(71)申请人中国石油化工股份有限公司

地址100000北京市朝阳区朝阳门北大街

22号

申请人中国石油化工股份有限公司石油勘

探开发研究院

(72)发明人杨震刘俊州时磊刘振峰韩磊

(74)专利代理机构北京市天元律师事务所16010

专利代理师郑胜昌

(51)Int.Cl.

G01V1/28(2006.01)

G01V1/30(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图3页

(54)发明名称

VTI介质正演模拟方法、装置、电子设备及存

储介质

(57)摘要

CN119644408A本申请提供的一种VTI介质正演模拟方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：构建VTI单薄层，根据VTI单薄层的单界面反射系数解析解，获得纵波的垂向慢度和转换横波的垂向慢度；构建夹VTI单薄层的薄互层介质，通过各向异性快速反射率法，获得所述薄互层介质慢度一频率域的总反射系数；将所述慢度一频率域的总反射系数变换为角度一时间域的总反射系数；将地震子波与角度一时间域的总反射系数进行褶积运算，获得正演模拟地震记录。本申请针对薄储层及