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硅材料生产与应用手册

第1章硅材料基础理论与制备工艺

1.1硅元素性质及半导体特性

硅（Si）是地壳中含量第二丰富的元素，化学性质相对稳定，常温下为灰白色固体，熔点高达1414℃，沸点3567℃。其原子结构具有4个价电子，形成四面体共价键，这种独特的电子结构决定了它既能作为绝缘体，又能通过掺杂成为优异的半导体材料。在半导体物理中，硅的禁带宽度（Eg）约为1.12eV，这是决定其光电特性和热学性能的关键参数。该数值使得硅在室温下具有适中的本征载流子浓度，既避免了低温下的绝缘失效，又克服了高温流子过剩导致的漏电流问题。

硅的晶格结构为金刚石结构，晶格常数约为5.43?